氢氧化钾腐蚀炉

                                                         koh腐蚀炉：应用氢氧化钾（KOH）

必须做好安全防范koh刻蚀硅，KOH是微结构试验室比较常见的刻蚀液之一，如单晶硅电池表面磨砂皮话解决、单晶硅片表面V型槽刻蚀、金字塔式或是倒金字塔结构刻蚀等运用。预防措施硅的刻蚀速度在不同温度与刻蚀液浓度值下刻蚀速度是不一样的。

根据FAS标准和料浆芯片的碱性溶液里的刻蚀速度随着时间、温度与不同类型的预清洗全过程的改变，数据显示，氢氧化钾浓度较大刻蚀率在20-30wt%上下。

通过23%氢氧化钾浓度值处理表面的透射率比较低，而表面粗糙度比较好的表面的透射率比较低。

23%净重浓度氢氧化钾薄化抛光技术带来了较平滑的表面，而且氢氧化钾解决也带来了相对较低的反射面。根据更改芯片的表面表面粗糙度来提高极少数使用寿命。

使用氢氧化钾（KOH）腐蚀炉时必须做好安全防范，氧化钾芯片氧化钾(potassiumoxide)是碱性氧化物。化学式为K2O,没有颜色立方米结晶。相对密度2.32g/cm3,350℃溶解,易潮解,溶于水并跟水结合形成氢氧化钾。

氢氧化钾（KOH）有小块和块状两类，易溶于水释放很多热。

氢氧化钾具有强烈腐蚀性。吸进后明显刺激性呼吸系统甚至造成烧灼。和皮肤眼接触可导致烧灼，一旦双眼或肌肤接触到氢氧化钾，立即将负伤位置以水持续清洗15分钟左右；内服会烧伤消化系统，可致命性。KOH湿法刻蚀在湿台子上实际操作必须完备的个人防护设备（PVC罩衣、面具和长袖上衣胶手套）。

呼吸道安全防护：如果需要佩戴防毒面具。

双眼安全防护：戴有机化学安全防护眼镜。

防护衣：穿工作服装(防腐涂料制做)。

手安全防护：戴橡皮手套（丁苯橡胶）。

其他：工作之后，淋浴间换衣。留意自己日常保洁。

泄漏应急处理

防护泄漏污染带，周边设警示标志，提议应急处理工作人员戴上防毒面罩，穿化学防护服。不必接触泄漏物，用洁清铁铲搜集于干躁洁静有盖容器里，以小量添加很多水里，或进入二氧化碳或是弱酸性，调控至中性化，再倒入污水系统软件。还可以用很多水清洗，或进入二氧化碳或是弱酸性，经溶解的洗涤放进污水系统软件。如很多泄漏，搜集回收利用或没害加工后废旧

急救措施

肌肤接触：立刻自来水清洗最少15min如果有条件用弱酸性清理伤口（如冰醋酸、硼酸溶液）。如有烧灼，就诊医治。

双眼触碰：马上提到眼皮，用流动性冷水或生理盐水冲洗最少15min。或者用3%硼酸洗液清洗。就诊。

吸进：快速摆脱当场至空气清新处。如果需要开展心肺复苏术。就诊。

吃入：病人保持清醒时马上漱口清洁，内服稀释液的醋或柠檬水，就诊。灭火方法：雾状水、碎石土、二氧化碳。

应急处理：防护泄漏污染带，限定进出。提议应急处理工作人员戴防尘口罩（全面罩），穿防毒服。勿使泄漏物与氧化剂、有机化合物、易燃物品或金属粉触碰。不必接触泄漏物。少量泄漏：用干净的铁铲搜集于干躁、清洁、有盖容器里。很多泄漏：搜集回收利用或运到废弃物处理场地处理。

氢氧化钾腐蚀炉

KOH腐蚀炉详细介绍

KOH腐蚀炉根据电机控制和温度控制操作完成了对芯片在腐蚀过程的可靠性和精确性确保.KOH腐蚀炉广泛应用于KOH腐蚀试验，适合于对晶圆片进行加工、科学研究与使用等有关单位。

KOH腐蚀炉系统软件由温度控制器和腐蚀炉构成，考虑到腐蚀炉膛内很强腐蚀汽体蒸发，因此温度控制器与炉壳中间根据手机充电线和加热线联接，维持约2米上下之间的距离，便于操作过程中的安全性。