晶升电子 | 以核心装备，筑造半导体产业新生态

在全球半导体产业向第三代、第四代宽禁带半导体升级的关键阶段，材料与装备的自主可控，已成为产业高质量发展的核心支撑。山东晶升电子科技有限公司立足宽禁带半导体装备领域，以技术创新为根基、以核心装备为抓手、以产业协同为纽带，全力筑造自主可控、协同共进的半导体产业新生态。

山东晶升电子科技有限公司

晶升电子坐落于泉城济南，是一家专注于宽禁带半导体装备研发和生产的高新技术企业。公司主要产品为第三代、第四代半导体高端装备以及各种晶体生长装备，广泛应用于集成电路功率器件、半导体材料、太阳能电池、LED 芯片制造、新能源等多个领域。晶升电子已实现多项关键技术突破：公司完全自主研发的6英寸VB晶体生长炉（非铱技术）与8英寸提拉法/导模法晶体生长炉相继完成全流程调试与严苛检测，成功交付国内重点高校和头部衬底企业。助力氧化镓及宽禁带半导体材料产业加快迈向规模化发展的实践路径。

截至目前，公司已通过GB/T9001 - 2016质量管理体系认证，荣获山东省专精特新企业、山东省瞪羚企业称号，拥有多项自主知识产权，成为行业内关键装备供应商的核心代表。

主营产品

• HVPE卤化物气相外延炉（氧化镓）：高生长速率、低缺陷密度。横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。外延速率：≥20微米/小时。氧化镓异质外延厚度:＞10微米。外延片尺寸:2/4/6/8英寸。

• 导模法晶体生长炉：可实现EFG导模提拉法生长超宽禁带单晶半导体材料。采用高频加热方式，通过特殊的热场结构设计，可实现EFG导模提拉法生长超宽禁带单晶半导体材料。设备可对应2-4-6-8英寸单晶材料的生长需求，同时可满足用户定制化的需求设计。

• VB晶体生长炉（氧化镓）：温度范围:100-1830℃。进口发热体，工作温度精确度达±0.5℃。坩埚具有旋转功能，可根据需要设置旋转速度和方向。设备可用于2-4-6-8英寸单晶生长需求，可根据客户需求定制化所需其它功能。

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