设备概述：主要应用于 4/6 英寸磷化铟、磷化镓I-V 族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺，自动控制系统。
设备主要特点和优势：
1 采用触摸屏+PLC模式，对炉温、气体流量、阀门等进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化;
2 程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间:
3 气体流量采用高压阀精确控制，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，气体打开具有缓启动功能;
4 具有多种报警功能及安全保护功能;
5 恒温区自动调整，可准确控制反应管的实际工艺温度;
设备性能指标：
1.加工晶圆尺寸：4/6寸；
2.适用工艺：单晶生长；
3.工艺温度范围：800-1200℃；
4.恒温区长度：300-800mm；
5.控温精度：±0.2℃/＞1200℃恒温区内；
6.单点温度稳定性：±0.2℃；
7.温度校准功能：具有预先写入偏差值快速拉温区功能；
8.控温模式：Spike控温；
9.控温点数：4-6点；
10.真空机组：直连泵；
11.系统极限真空度：＜10Pa ；
12.抽速：抽至极限真空时间＜10Min；
13.高压腔设计压力：5MPa；
14.控制系统结构：触摸屏+PLC；
15.报警保护:具有超温报警，超压报警，断偶报警，气体互锁，气体缓启动等功能；