1. 晶体生长炉，可实现EFG导模提拉法生长超宽禁带单晶半导体材料。采用高频加热方式，通过特殊的热场结构设计，可实现EFG导模提拉法生长超宽禁带单晶半导体材料。
2. 设备可对应2-6-8英寸单晶材料的生长需求，同时可满足用户定制化的需求设计。