HVPE卤化物气相外延炉

1.高生长速率、低缺陷密度。   2.横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。   3.外延速率：≥200微米/小时。   4.氧化镓同质外延厚度：>10微米。   5.外延片尺寸：2/4/6/8英寸。