HVPE卤化物气相外延炉

1.高生长速率、低缺陷密度。 2.横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。 3.外延速率：≥200微米/小时。 4.氧化镓同质外延厚度：>20微米。 5.外延片尺寸：2/4/6英寸。