HVPE立式晶体生长炉

1. 高生长速率、低缺陷密度。 2. 横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。 3. 单晶生长速率:≥100微米/小时。 4. 产品尺寸:2/4/6/8英寸。