VB晶体生长炉(氧化镓)

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1. 温度范围:100-1830℃。

2. 进口发热体,工作温度精确度达±0.5℃。

3. 坩埚具有旋转功能,可根据需要设置旋转速度和方向。

4. 设备可用于2-4-6-8英寸单晶生长需求,可根据客户需求定制化所需其它功能。

简介
1. 温度范围:100-1830℃。  2. 进口发热体,工作温度精确度达±0.5℃。  3. 坩埚具有旋转功能,可根据需要设置旋转速度和方向。  4. 设备可用于2-4-6-8英寸单晶生长需求,可根据客户需求定制化所需其它功能。
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